Модуль памяти OCZ OCZ2G11001G

Модуль памяти OCZ OCZ2G11001G

Описание модуля памяти OCZ OCZ2G11001G

Тип модуля
DDR2
Емкость
1 ГБ
Свойства
CL 5-6-6-15 (CAS-TRCD-TRP-TRAS)
240 Pin DIMM
Рабочая частота
1100 МГц
Скорость передачи
8800
Технические свойства модуля памяти OCZ OCZ2G11001G

Дополнительная информация: поддержка технологии Extended Voltage Protection
Форм-фактор: DIMM 240-контактный
Объем: 1 модуль 1 Гб
Тип памяти: DDR2
Тактовая частота: 1100 МГц
Поддержка ECC: нет
Буферизованная (Registered): нет
Низкопрофильная (Low Profile): нет
Пропускная способность: 8800 Мб/с
CAS Latency (CL): 5
RAS to CAS Delay (tRCD): 6
Row Precharge Delay (tRP): 6
Activate to Precharge Delay (tRAS): 15
Напряжение питания: 2.2 В
Радиатор: есть

Похожее: Вы можете оставить комментарий, или ссылку на Ваш сайт.

Оставить комментарий

Вы должны быть авторизованы, чтобы разместить комментарий.